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批量生产的InP、GaSb.InAs 开盒即用单晶片

2016年

应用技术

成果简介

　　项目概况：
　　InP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等，其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜视、大气监测、国防技术等。
　　主要技术：2～4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生...

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