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存储器比较刷新电路模块

2017年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　1.课题来源与背景
　　随着集成电路的发展，智能设备的存储器由最初的六管单元到现在的单管存储器，存储器的容量越来越大，体积越来越小，由于存储器漏电流的影响，容易引起存储信息失效，因此实时刷新电路的功耗较大。为使刷新电路的功耗降低，因特尔公司提出了双管增益存储单元结构，旨在促使存储信息时间得以延长，这样也就增加了刷新时间，使得刷新功耗降低，但是这项改进仍然存在刷新电路功耗较大的问题。...
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