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TFT基板的防静电方法

2017年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明涉及一种TFT基板的防静电方法，包括提供TFT基板及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w的步骤。
　　目前，对TFT基板进行防静电的方法大多采用直流溅射镀膜或蒸发镀膜的方法在TFT基板制备ITO薄膜。该方法与传统的直流磁控溅射相比，所采用电压和功率较小，能耗小，且制备的ITO薄膜的厚度均...

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