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新型槽栅功率MOSFET器件研究

2017年

基础理论

成果简介

　　1、课题来源与背景
　　功率半导体的作用是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多的方便，是节能减排的基础技术和核心技术。超结结构的提出，代表一种新型的功率MOSFET开关器件结构。相对于传统功率MOSFET器件，超结器件可以达到更高的击穿电压，或更低的导通电阻。但是，实现超结结构的主要方式是采用多层外延和垂直深沟槽刻蚀技术。在多层外延工艺中，高温和长时间的退火推结会导致杂质...

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