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中压大电流沟槽功率MOSFET制造技术(CS80N06/CS80N10)

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
(1)任务来源
公司自主开发
(2)应用领域和技术原理。
主要技术工艺路线:来料检验→划片→粘片与压焊→塑封→热老化→打印→冲筋→上锡→后烘→分离→后烘→测试→包装→入库,主要解决技术难点有:
1.芯片的开发与设计:采用中压沟槽芯片工艺。
2.攻关新型键合工艺:铝线单线多点键合工艺与铜铝线混合键合工艺。
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