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高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
研制成功具有正温度系数、高短路能力、高雪崩耐量和低功耗的15-100A、1200V 绝缘栅双极晶体管（IGBT）管芯。
a) 元胞内大面积栅源隔离技术
b) 栅源长度比的优化设计
c) 虚拟原胞的设计和工艺实现
d) 高抗闩锁（Latch-up）能力
e) 高雪崩耐量的设计和工艺
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