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Φ6″硅外延材料

2003年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　该项目对150mm（6英寸）硅外延材料埋层外延图形畸变和漂移的控制技术、变流变温生产技术、背封技术、消除自掺杂技术、负压生长技术、分布外延生长技术、低温生长技术、衬底预处理技术等8项技术进行了集成创新；用气相化学沉积方法，在150mm（6英寸）硅的抛光单晶片上生长一层或多层匹配晶格、参数各异的硅单晶膜，厚度1～150um，电阻率为0.003～500Ω·cm；参照美国ASMT标准SEMI标准（2...

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