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硅锗异质结构的电子显微学研究

2014年 基础理论
  • 成果简介
应变对纳米结构材料的宏观性能有着非常重要的影响，尤其对于半导体等结构敏感的材料，引入应变甚至可以实现材料的改性。因此，精确测量纳米结构材料的应变将成为材料改性及控制其宏观性能的重要研究内容。硅锗异质结构是一种人为引入应变的材料，它利用硅锗材料晶格常数不同而产生应变，应变的存在使硅锗材料的带隙改变、能级分裂，从而大大影响硅锗材料的电子性能，但是硅锗异质结构界面区域纳米尺度变形场的研究还非常之...
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