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气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料

2005年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题，建立了稳定优化的GSMBE生长工艺，研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术，在InGaP/GaAs HBT材料结构设计和GSMBE生长工艺方面不仅吸取了国内外已有的经验，而且在不掺杂隔离层设计、As/P气氛切换工艺、基区p型重掺杂及其扩散抑制等关键技术上有所发展和创新，...

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