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新型低功耗多栅器件的实验与理论研究

2014年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
随着集成电路的特征尺寸进入纳米尺度，传统半导体器件面临诸多科学和技术难题的挑战，导致严重的功耗问题，必须从器件结构及相关工艺和机理等方面寻求突破，以促进集成电路技术代向亚十纳米节点继续推进。本项目面向深纳米尺度器件存在的挑战以及电路和系统功耗降低的迫切需求，围绕具有强栅控能力的多栅新结构器件中的关键基础问题展开研究，包括结构设计及工艺实现、输运特性和随机涨落性等在内的器件物理以及如何兼顾兼...
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