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剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料

2005年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于：
　　（1）离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；
　　（2）离子注入时的能量范围是50～200　kEV，相应的剂量范围是2.0×10＃＋［17］～7.0×10＃＋［17］cm＃＋［-2］，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D（10＃＋...
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