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半导体SiGeC多元团簇及纳米薄膜研究

2005年

基础理论

成果简介

本课题立项三年以来，在半导体团簇和薄膜的理论和实验研究方面取得了显著进展，取得一批国际水平的研究成果。理论研究方面，我们采用密度泛函（DFT）和从头计算方法(ab initio)系统研究了含C，Si，Ge的一元、二元及三元团簇的几何结构和电子性质，预测了过渡金属(Cu,Ni,Fe等)配位的平面碳、硅、氮、硼等新颖化学结构，提出了平面配位硅的统一结构模型。已有13篇论文分别发表于《美国化...

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