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一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜
生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工
艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，
利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件
是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～...
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