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AlN等宽禁带半导体纳米结构的制备及其物理性质研究

2014年 基础理论
  • 成果简介
氮化铝（AlN）是一种重要的宽禁带半导体材料，在紫外光电子器件、高温高频大功率电子器件等方面有广泛的潜在应用。近年来关于宽禁带半导体材料纳米结构的研究受到了广泛重视，成为了一个新的研究热点。预期在微纳光电器件、高效光伏电池、光催化等领域有重要应用。本项目在国家自然科学基金和陕西省自然科学基金的支持下，对AlN等宽禁带半导体纳米线的制备方法及其物理性质进行了系统研究。
在研究方法...
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