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抗辐射加固场效应管

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  1、课题来源与背景
  该项目来源于中国电科24所横向研发项目,包括SC183XRH型抗辐照N沟道场效应管芯片、SC184XRH型抗辐照P沟道场效应管芯片、SC803XRH型大电流P沟VDMOS管芯片、SC807XRH-T型P沟抗辐射场效应管芯片和SC807MRH-T型P沟抗辐射场效应管等五个产品。
  2、技术原理及性能指标
功率场效应管应用领域广阔,是中...
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