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标定单晶硅晶圆晶向的方法

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种标定单晶硅晶圆晶向的方法,其特征在于:
1)制版
根据晶圆的大小以及加工精度的要求,设计用于晶向标定的几何版图,并采用常规工艺加工出相应的掩膜版;
2)预刻蚀加工
在硅片上加工出掩蔽层,然后利用掩膜版,将由一组呈扇形分布的矩形条组成的比对图案转移到掩蔽层中,比对图案的矩形条的中心都位于一个大圆的圆心上,而其...
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