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硅锗/硅的化学气相沉积生长方法

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本发明公开了一种在低温、超高背景真空度的工艺环境下，采用光化学气相淀积设备外延生长硅锗/硅材料的方法。本发明的主要特点是，将UHV/CVD技术和光CVD技术的优点有机地结合起来，在背景真空度优于1×10^-7Pa，反应温度为400～450℃，反应压力为1～10Pa条件下，生长硅锗/硅材料。采用本发明生长出的硅锗/硅材料不仅应力小、晶体结构完整，而且界面特性好，满足实用要...

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