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应变硅锗薄膜材料掺杂浓度测试方法

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明提供了一种测试应变硅锗薄膜材料杂质浓度的方法。该方法的关键是通过理论分析和模拟,创建N型和P型Si1-xGex材料电阻率ρ与杂质浓度ND或NA及Ge组分x的关系曲线,进而用四探针法测试应变Si1-XGeX材料的电压V和电流I的测量值,通过函数关系式,∴解...
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