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一种用于人工晶体约束生长的方法和装置

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种人工晶体生长的方法及装置。为克服现有技术中晶体生长质量低，表面质量差的不足之处，本发明以COANP或Benzil粉剂为原料，在过冷熔体中以预先设定形状的生长器作为结晶器，采用夹持器选取籽晶取向，控制形核条件，使晶体以籽晶为核心向外生长，贴合结晶器壁成长为具有特定晶向和形状的晶体器件，并在晶体生长完成后采用封闭结晶器的方法以保护晶体。本发明可获得大体积、高质量的晶体材料，减少后...
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