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“X”型硅微应变固态压阻传感器及其制作工艺

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

一种“X”型硅微应变固态压阻传感器及其制作工艺，在氮化硅上光刻出“X”型四端元件(5)的图形，然后通过掩膜刻蚀，在硅中注入半导体材料，得到“X”型四端元件(5)的两相互垂直的电阻条，在其末端压入金属膜作为信号负接点1、电源接点2、信号正接点4和地接点3，所得到的该传感器具有体积微小、灵敏度高、线性范围宽的优点，可广泛用来测量包括微构件机构的拉力、张力、扭矩和压力。...

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