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一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺，利用直流辉光放电法，在半导体器件的终端台面上淀积一层掺氧半绝缘多晶硅膜，再在掺氧半绝缘多晶硅膜上涂敷聚酰亚胺，达到钝化半导体台面器件的目的。采用本发明所提供的复合钝化工艺得到的硅半导体台面器件，具有良好的稳定性和可靠性。特别地，器件的高温特性得到了显著的改善。...
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