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MOSFET无损工艺关键技术研究及产业化

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

随着电子技术的不断进步及市场的需求，半导体功率MOSFET器件的应用场合越来越广泛，相应的，MOSFET器件的要求也越来越高：要求可承受的反向电压从几十伏特到上千伏特不等，最大可承受电流更是高达数百安培。为满足各种需求，芯片设计者也开发了各类新型MOSFET芯片结构，如典型的MOSFET trench结构等，但同时也正是这些新型设计，使得芯片内部结构更加复杂精细，更容易受损。
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