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高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法

2013年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。本发明的光电二极管具有灵敏度高、响应度好、选择性好的优点。高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法技术领域，本发明涉及一种雪崩光电二极管，特别涉及一种高速增强型紫外硅选择性雪...
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