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一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提供了一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法，所述方法包括向钛锡酸锶薄膜材料中掺杂摩尔含量为所述钛锡酸锶薄膜材料的0.1～4%的Mg和0.1～4%的Mn；所述钛锡酸锶薄膜材料的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明通过在钛锡酸锶薄膜制备中掺杂化学元素镁，再辅以其它受主或变价杂质例如锰，改善了钛锡酸锶薄膜的微结构和物理性能，从而提高了钛锡酸锶薄膜在用...
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