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一种制备Ge纳米管的方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种获得Ge纳米管的方法，包括如下步骤：(1) 在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2) 在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3) 将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4) 在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5) 保温时间...
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