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包含夹层的相变存储器及制作方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及包含夹层的相变存储器。本发明针对相变存储器的存储原理和特点,设计提出了在电极与相变材料之间添加锑、锡、银、铋、碲等单质夹层的相变存储器结构,由于夹层的引入能够提高相变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点,与传统的相变存储器结构相比,包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。...
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