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多层堆叠电阻转换存储器的制造方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种采用键合法制造多层堆叠电阻转换存储器的工艺，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储单元的第一圆晶，金属字/位线镶嵌在第一圆晶表面，在圆晶表面沉积第一过渡层和第一金属层；形成表面有多层掺杂层的第二圆晶，圆晶表面沉积有第二过渡层和第二金属层；键合第一圆晶和第二圆晶，去除第二圆晶多余部分半导体；采用硬掩模法继续在键合圆晶上制造选通和存储单元，填充绝缘层，并进行平坦化；形成沟槽...
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