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阻变存储器及集成中的基础问题

2013年

基础理论

成果简介

阻变存储器(RRAM)作为重要的新型存储技术得到学界和业界广泛关注，是微电子领域的前沿和研究热点。针对RRAM性能提升和集成中的瓶颈问题，如材料/结构对器件性能影响规律、器件参数离散起源及电阻转变的物理机理等，项目组开展了系统的研究。提出了掺杂和电场调控改善器件性能和一致性的新思想，揭示了电阻转变的物理机制和自整流效应的起源，发展出多种高性能RRAM器件，实现了集成。上述创新思想和成果为R...

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