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一种测试加速度、压力和温度的集尘硅芯片及制作方法

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属（铝、钛钨金等）和Ｐ型多晶硅或Ｎ型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在ＬＰ...

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