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共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明将有助于加快探索新型相变材料的进程，为研究纳米尺度下相变存储器的性能提供有效的方法，有利于进一步促进相变存储器的发展。本发明的特征在于，在(100)取向的硅片上面，应用化学气相沉积的方法首先制备一层SixN介质层，其厚度控制为300～500nm；然后使用磁控溅射的方法沉积300nm厚的Al/Ti/TiN，各层相应厚度为150nm/100nm/50nm，作为底层电极材料；于底层电极材料...

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