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相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及到相变存储器单元器件结构。本发明针对相变存储器存储单元，相变材料非晶到多晶(set)的保温与多晶到非晶(reset)快速散热的存储原理和特点，从热平衡的角度，通过选择与优化电极材料、相变材料与介质材料，同时考虑与CMOS工艺的集成，从实现低功耗、高速的角度，设计提出了新的存储单元结构，与传统的存储单元结构相比，新的结构的特点是在于采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储器阵列下面...
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