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采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

涉及一种采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物ＢＣＢ低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作ＴＳＶ封装（Ｔｈｒｏｕｇｈ?Ｓｉｌｉｃｏｎ?Ｖｉａ，穿硅通孔）的方法，所述的ＴＳＶ封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层ＢＣＢ后进行光刻；ＴＳＶ晶圆正面ＤＲＩＥ刻蚀出ＴＳＶ阵列；支撑晶圆带有ＢＣＢ的一面与ＴＳＶ晶圆正面经对准后在键合机中进行Ｂ...

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