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一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保...
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