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一种驰豫SiGe虚拟衬底及其制备方法

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学...

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