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纳米级MOSFETs器件建模与结构优化设计

2013年

基础理论

成果简介

本项目的主要研究内容包括对纳米级MOSFETs器件的工作机理进行分析，并对其工作特性进行理论建模。同时对其进行优化设计。其核心目的是为了通过对纳米级短沟道新型MOSFETs器件的设计和优化，在不降低集成电路基本单元工作性能的前提下延续摩尔定律，同时为新型MOSFETs器件的工作原理提供理论依据，并以此为基础为次世代集成电路设计CAD工具提供模型支持。
具体内容包括： <...

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