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集成SOI LIGBT/LDMOS器件结构、工艺、设计、虚拟制造与仿真测试

2013年

应用技术

中期阶段

成果简介

发明专利1针对现有技术的不足将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，使其无需外接任何器件就具有逆向导通能力，能够显著改善SOI LIGBT器件速度、可靠性与使用寿命，减小采用该种器件的各种电力电子系统的体积、重量和成本，并且有助于提高应用系统的工作频率、效率、使用寿命和可靠性因此，本发明有利于节省资源、降低能耗、保护环境与可持续发展。
发明专利2通过采...

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