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低位错密度高效多晶硅铸锭技术

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本项目通过对热场的控制，即对铸锭炉运行配方进行调整，使长晶初期在硅锭中形成温度梯度，将长晶初期的过冷度控制在4℃左右，在这个过冷度下<110>晶向和<112>晶向优先生长，有利于形成大量的Σ3 晶界；利用高纯度氢在温度为1150℃时对硅片进行退火1-3 小时，复合位错中存在的不饱和键。通过一系列技术改进电池效率提高0.6-1%，大大的降低了生产成本，提高了产品竞争力。3、经过财务核算该项目...
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