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太阳能级硅片表面质量提升工艺

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一、所属技术领域
本项目开发的工艺技术应用于单晶硅片，单晶硅片是太阳能电池片的主要原材料之一，通过对传统单晶硅片切割方式的升级改造，使其片面质量和内部的性能指标得到了显著提升，改进后，每张硅片的平均线痕深度可低于5μm，TTV小于10μm，翘曲度小于10μm，并且将硅片表面出现花片、油污、针孔的几率降到最低，积极总结分析切割线在切割过程中断线的原因并找到相应的解决办法，...
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