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深沟槽型大功率MOS器件工艺开发

2005年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
简要技术说明
深沟槽功率MOS器件的关键工艺：
1、深/圆沟槽刻蚀工艺：垂直度。 87度以上。底部成圆弧形。沟槽表面光滑，不能有毛刺。沟槽深度约2um。采用了沟槽深度两步法刻蚀，第一步形成为所需深度的沟槽，再采用低能量等离子方法，对侧壁和底部进行轻微处理，实现深沟槽的底部和侧壁圆滑，缺陷少。
2、背面研磨处理工艺：减薄厚度已经可以...
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