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一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法

2013年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
半导体用直拉硅单晶由于杂质分凝现象的存在，使传统CZ工艺下，单晶轴向电阻率分布跨度大，不能满足客户的特定电阻率要求，造成成晶率高，而成品率低的现实状况。采用常规直拉法制备硅单晶时，首先将多晶硅料置于一石英坩埚中，待多晶硅料完全熔化后，下降籽晶至与硅熔体液面接触、稳温后，便可以进行拉制单晶。
由于掺杂物在固相中的溶解度小于其在液相中的溶解度，在硅单晶的拉制过程中，固液界面...
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