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三维捕光结构与SIS高效光伏器件的研究

2012年

基础理论

成果简介

本成果的主要内容体现在以下4个方面：
1.采用了硅纳米线、表面等离激元、“黑硅”结构和ZnO纳米线技术，分别制备出硅基表面的四种陷光结构，表面最佳反射率低于2.0%，在硅基纳米线和黑硅材料中获得。
2.选取不同厚度SiOx薄膜缓冲层于AZO/Si异质结，对于光辅助隧穿效应具有明显的控制作用，在＜170K的温度下，量子隧穿效应得到了测量和确认。

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