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0.13微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
宏力0.13微米嵌入式闪存工艺开发和量产的成功，不仅打破了国外技术垄断，更填补了国内该技术领域的空白。该技术已达到国际先进，国内领先水平。
本项目在器件结构、器件工艺、电路设计等方面均有创新，获得了6项授权专利。
1.创新点一：器件结构：嵌入式闪存的闪存部分采用自对准分栅结构，在减少存储单元面积（＜0.2平方微米）的同时增强了器件操作的效率和稳定性，...
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