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一种可单片集成的射频滤波器及其制作方法

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属－绝缘层－金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放...
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