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硝酸钠单晶的坩锅下降法生长工艺

2012年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种坩埚下降法生长大尺寸、高质量硝酸钠单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用分析纯硝酸钠为原料，采用单层圆锥底铂金坩埚或圆弧底石英玻璃坩埚装料，采用硅碳棒或硅钼棒为发热体的下降炉进行晶体生长，生长炉温350～380℃，生长速率0.2～1.0mm/h，生长界面温度梯度5～15℃/cm。本发明所述的坩埚下降法生长工艺简单，可按制定的条件进行晶体生长，其温场稳定，径向温梯小，可有...
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