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硅片薄层电阻测试技术研究

2012年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
课题系统地分析了四探针测量过程中的影响因素，讨论了用有限元法对半导体样品的厚度修正，并对测试电流的选择，探针的选择，探针的位置等对测试结果的影响做了进一步的研究。研究了直线四探针法和方形四探针法探针游移对测试结果的影响，完成实际样品的测试。研究了一种新的检测硅片微区薄层电阻率均匀性的无接触测试技术。该方法是基于电阻抗成像技术及其成像原理的基础上提出来的，此方法克服了接触测试方法的一些重大缺...
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