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带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。本专利采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TC...
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