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焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区 法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。本发明的生长方法解决了YPS晶体生 长过程中非一致熔融的问题和相变的问题，可以获得晶体质量较好的YP...
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