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0.18微米/0.13微米锗硅 BiCMOS成套工艺技术

2012年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本项目发明了世界独创的SiGe HBT器件结构。它采用了上海华虹NEC公司独立开发的、业界领先的深孔接触、独有的浅沟槽隔离氧化层侧墙和赝埋层制作，以及锗硅/锗硅碳异质材料外延生长的工艺。摒弃了业界广泛采用的N型埋层，N型集电区外延和深槽隔离等复杂的工艺，而采用其他成本低廉、流程简单的工艺来实现相同甚至更加优异的直流和高频性能。独创的赝埋层(Pseudo Buried Layer)来替代复杂的传...

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