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新型功率半导体器件关键技术研究及应用

2010年 应用技术
  • 成果简介
　　该成果为解决目前国际上高压集成电路向薄层发展所带来的纵向耐压瓶颈以及中国受限于国外在高端功率半导体器件和集成电路方面的垄断和禁运问题，首次提出了功率半导体体内场降低理论并解决了相应的设计关键技术；在行业顶级刊物上发表了系列居于国际领先水平的器件新结构；开发了目前国际最薄导电层的1微米SOI高低压兼容工艺，在此工艺基础上研制出国际先进水平的PDP显示屏驱动电路和系列AC-DC高压集成电路；研制出...
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