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低氧碳硅单晶

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　由我公司研制开发的“低氧碳硅单晶”硅晶体内杂质含量低，氧和碳的杂质浓度分别低于5×1017atm/cm3和5×1016atm/cm3，硅片中无加工损伤应力位错的产生，主要电参数中的少子寿命比普通硅片高出至少5μs，采用本项目产出制造的太阳能电池片的光电转换效率平均为18.2﹪，满足和达到国内光伏企业对硅材料的要求。
　　1、自主设计的高度对称静态热场和导流筒结构，控制氩气的流速和流...
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